ウェア・レベリングについて

フラッシュメモリ

フラッシュメモリは保護酸化膜を電子が破ることによってデータが書き込まれます。書き込みが同じ素子に頻繁に書き込まれると保護酸化膜が劣化して書き込めなくなります。書き込み回数が約10万回といわれる原因です。

約10万回というと多いと思われますが、あるアプリケーションが随時同じ素子に上書きを10秒間に1回しますと、1日で8,640回で約12日で10万回に達します。

これは極端な話ですが、このように同じところばかりに書き込みと消去を繰り返さないようにするのがウェアレベリング機能です。消去・上書き込みを同じ場所ではなくて違う場所にして、フラッシュメモリの書き込み回数をなるべく平均化し行く方法です。

ウェア・レベリングには動的ウェアレベリング静的ウェアレベリングがあります。

 

動的ウェアレベリング

動的ウェアレベリングは、既にあるデータの上に新しいデータを書き込まなくて違う場所にデータを書き込みして平均化します。

 

静的ウェアレベリング

静的ウェアレベリングは、データの変更が行われない静的なデータを、書き込み回数が比較的多い素子にデータを移して、今現在の書き込み回数の少ない場所を空ける方法です。

 

ウェアレベリングは各メーカによって方法は異なります。


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